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    西安易恩电气科技有限公司

    分立器件测试仪,IGBT测试仪,功率器件测试仪

    普通会员

    普通会员

    实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备

    产品价格188.00元/台

    产品品牌西安易恩电气

    最小起订≥1 台

    供货总量100 台

    发货期限自买家付款之日起 3 天内发货

    浏览次数11

    企业旺铺https://b2b.ecchn.com/xiangzi/

    更新日期2019-07-12 18:23

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    西安易恩电气科技有限公司

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    西安易恩电气科技有限公司

    联 系  人:李想(女士)  

    联系手机:15249202572

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    联系地址:陕西省西安市雁塔区

    【友情提示】:来电请说明在中商电讯看到我们的,谢谢!

    商品信息

    基本参数

    品牌:

    西安易恩电气

    所在地:

    陕西 西安市

    起订:

    ≥1 台

    供货总量:

    100 台

    有效期至:

    长期有效

    电压频率:

    50Hz±1Hz

    系统功耗:

    320W

    尺 寸:

    450x570x280mm
    详细说明

    西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统,分立器件综合测试仪,功率器件图示系统,晶体管图示仪,MOS动静态测试测试仪,晶闸管测试仪,雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。

    分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数,如一下参数;

    1二极管DIODE

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    IR

    0.10V-2kV

    1nA(20pA)1-50mA

    1nA(1pA)1

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    BVR

    0.10V-2kV

    1nA-3A

    1mV

    1%+10mV

    VF

    0.10V-5.00V 

    -9.99V

    IF:10uA-50A(1250A)3

         -25A(750A)3

    1mV

    VF:1%+10mV

    IF:1%+1nA

    2绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    ICES    

    IGESF

    IGESR

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA(20pA)1-50mA

    1nA(20pA)1-3A

    1nA(1pA)1

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    BVCES

    0.1V-900V 

         -1.4KV

         -1.6KV

    100μA-200mA

          -100mA        

          -50mA

    1mV

    1%+100mV

    VGETH

    0.10V-20V(50V)2

    1nA-3A

    1mV

    1%+10mV

    VCESAT ICON

    VGEON VF

    gFS(混合参数)

    VCE:0.10V-5.00V 

            -9.99V

    VGE:0.10V-9.99V

    IC:10uA-50A(1250A)3

    -25A(750A)3 

    IF, IGE:1nA-10A

    1mV

    V:1%+10mV

    IF  IC:1%+1nA

    IGE:1%+5nA

    3晶体管  TRANSISTOR

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    ICBO ICEO/R/S/V

    IEBO

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

    1nA(1pA)1

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    BVCEO 

    BVCBO

    BVEBO

    0.10V-900V

    -1.4kV

    -1.6kV

    0.10V-2KV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA-200mA

    -100mA

    -50mA

    -50mA

    1nA(20pA)1-3A

    1mV

    1%+10mV

    1%+10mV

    hFE(1-10000)

    VCE:0.10V-5.00V

            -9.99V

            -49.9V

    IC:10uA-50A(1250A)3

         -25A(750A)3

          -3A

    IB:1nA-10A

    0.01hFE

    VCE:  1%+10mV

    IC:  1%+1nA

    IB:  1%+5nA

    VCESAT VBESAT

    VBE(VBEON)  RE

    VCE:0.10V-5.00V 

    -9.99V

    VBE:0.10V-9.99V

    IE:10uA-50A(1250A)3

         -25A(750A)3

    IB:1nA-10A

    1mV

    V:1%+10mV

    IE:1%+1nA

    IB:1%+5nA

    4MOS场效应管  MOS-FET

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    IDSS/VIGSSFIGSSR

    VGSFVGSR

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA(20pA)1-50mA

    1nA(20pA)1-3A

    1nA(1pA)1

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    BVDSS

    0.10V-2kV

    1nA-50mA

    1mV

    1%+100mV

    VGSTH

    0.10V-49.9V

    ID:100uA-3A

    1mV

    1%+ 10mV

    VDSON、VF(VSD)

    IDON、VGSON

    RDSON(混合参数)

    gFS (混合参数)

    VD VF:0.10V-5.00V 

    -9.99V

    VGS:0.10V-9.99V

    IFID:10uA-50A(1250A)3

         -25A(750A)3

    IG:1nA-10A

    1mV

    V:1%+10mV

    IF.ID:1%+1nA

    IG:1%+5nA

    5J型场效应管J-FET

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    IGSS    IDOFF

    IDGO

    VGS:0.10V-20V(80V)2

    VDS:0.10V-999V

    1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA

    1nA(1pA)1

     

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    BVDGO

    BVGSS

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA-50mA

    1nA-3A

    1mV

    1%+100mV

    1%+10mV

    VDSON,VGSON

    IDSS,IDSON

    RDSON (混合参数)

    gFS  (混合参数)

    0.10V-5.00V

         -9.99V

    ID:10uA-50A(1250A)3

       -25A(750A)3

    IG:1nA-10A

    1mV

    V:1%+10mV

    ID:1%+1nA

    IG:1%+5nA

    VGSOFF

    0.10V-20V(80V)2

    ID:1nA(20pA)2-3A

    VD:0.10V-50V

    1mV

    1%+10mV

    6、单向可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

    测试参数名称

    电压范围

    电流范围

    分辨率

    精度

    IDRMIRRM

    IGKO

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

    1nA(1pA)1

    1%+10nA+20pA/V

    (1%+200pA+2pA/V)1

    VDRM、VRRM

    BVGKO

    0.10V-2kV

    0.10V-20V(80V)2

    1nA-50mA

    1nA-3A

    1mV

    1mV

    1%+100mV

    1%+10mV

    VTM

    0.10V-5.00V 

    -9.99V

    10uA-50A(1250A)3

         -25A(750A)3

    1 mV

    VT:1%+10mV

    IT:1%+1nA

    I GT

    VGT

    VD:5V-49.9V

    VGT:0.10V-20V(80V)2

    VT:100mV-49.9V

    IGT:1nA-3A

    RL:12Ω/30Ω/100Ω

    /EXT

    1mV

    1nA

    1%+10mV

    1%+5nA

    IL(间接参数)

    VD:5V-49.9V

    IL:100μA-3A

    IGT:1nA-3A

    RL:12Ω/30Ω/100Ω

    /EXT

    N/A

    N/A

    IH 

    VD:5V-49.9V

    IH:10uA-1.5A

    IGT:1nA-3A

    RL:12Ω/30Ω/100Ω

    /EXT

    (IAK初值由RL设置)

    1uA

    1%+2uA

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