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西安易恩电气科技有限公司

分立器件测试仪,IGBT测试仪,功率器件测试仪

普通会员

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实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备

发布时间2019-09-09 14:52:07

产品品牌西安易恩电气

最小起订≥1 台

供货总量100 台

发货期限自买家付款之日起 3 天内发货

浏览次数23

企业旺铺http://xiangzi.b2b.ecchn.com/

产品价格188.00元/台

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西安易恩电气科技有限公司

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商品信息

基本参数

品牌:

西安易恩电气

所在地:

陕西 西安市

起订:

≥1 台

供货总量:

100 台

有效期至:

长期有效

电压频率:

50Hz±1Hz

系统功耗:

320W

尺 寸:

450x570x280mm
详细说明

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统,分立器件综合测试仪,功率器件图示系统,晶体管图示仪,MOS动静态测试测试仪,晶闸管测试仪,雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。

分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数,如一下参数;

1二极管DIODE

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10V-2kV

1nA(20pA)1-50mA

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVR

0.10V-2kV

1nA-3A

1mV

1%+10mV

VF

0.10V-5.00V 

-9.99V

IF:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

1mV

VF:1%+10mV

IF:1%+1nA

2绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICES    

IGESF

IGESR

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA

1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVCES

0.1V-900V 

     -1.4KV

     -1.6KV

100μA-200mA

      -100mA        

      -50mA

1mV

1%+100mV

VGETH

0.10V-20V(50V)2

1nA-3A

1mV

1%+10mV

VCESAT ICON

VGEON VF

gFS(混合参数)

VCE:0.10V-5.00V 

        -9.99V

VGE:0.10V-9.99V

IC:10uA-50A(1250A)3

-25A(750A)3 

IF, IGE:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

IF  IC:1%+1nA

IGE:1%+5nA

3晶体管  TRANSISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVCEO 

BVCBO

BVEBO

0.10V-900V

-1.4kV

-1.6kV

0.10V-2KV

0.10V-20V(80V)2

1nA-200mA

-100mA

-50mA

-50mA

1nA(20pA)1-3A

1mV

1%+10mV

1%+10mV

hFE(1-10000)

VCE:0.10V-5.00V

        -9.99V

        -49.9V

IC:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

      -3A

IB:1nA-10A

0.01hFE

VCE:  1%+10mV

IC:  1%+1nA

IB:  1%+5nA

VCESAT VBESAT

VBE(VBEON)  RE

VCE:0.10V-5.00V 

-9.99V

VBE:0.10V-9.99V

IE:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

IB:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

IE:1%+1nA

IB:1%+5nA

4MOS场效应管  MOS-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDSS/VIGSSFIGSSR

VGSFVGSR

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA

1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVDSS

0.10V-2kV

1nA-50mA

1mV

1%+100mV

VGSTH

0.10V-49.9V

ID:100uA-3A

1mV

1%+ 10mV

VDSON、VF(VSD)

IDON、VGSON

RDSON(混合参数)

gFS (混合参数)

VD VF:0.10V-5.00V 

-9.99V

VGS:0.10V-9.99V

IFID:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

IG:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

IF.ID:1%+1nA

IG:1%+5nA

5J型场效应管J-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IGSS    IDOFF

IDGO

VGS:0.10V-20V(80V)2

VDS:0.10V-999V

1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA

1nA(1pA)1

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVDGO

BVGSS

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA-50mA

1nA-3A

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSON,VGSON

IDSS,IDSON

RDSON (混合参数)

gFS  (混合参数)

0.10V-5.00V

     -9.99V

ID:10uA-50A(1250A)3

   -25A(750A)3

IG:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

ID:1%+1nA

IG:1%+5nA

VGSOFF

0.10V-20V(80V)2

ID:1nA(20pA)2-3A

VD:0.10V-50V

1mV

1%+10mV

6、单向可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRMIRRM

IGKO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

VDRM、VRRM

BVGKO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA-50mA

1nA-3A

1mV

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VTM

0.10V-5.00V 

-9.99V

10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

1 mV

VT:1%+10mV

IT:1%+1nA

I GT

VGT

VD:5V-49.9V

VGT:0.10V-20V(80V)2

VT:100mV-49.9V

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

1mV

1nA

1%+10mV

1%+5nA

IL(间接参数)

VD:5V-49.9V

IL:100μA-3A

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

N/A

N/A

IH 

VD:5V-49.9V

IH:10uA-1.5A

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

(IAK初值由RL设置)

1uA

1%+2uA

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